美光1βDRAM内存年底日本量产，1γ预计2024年量产

据台湾省经济日报报道，美光台湾省今天组织媒体参观美光A3工厂，美光台湾省董事长陆东辉宣布，下半年将在A3工厂引进先进的极紫外设备，为美光1γ DRAM早日量产做准备。

据报道，美光计划在2024年量产1γ DRAM芯片。

根据消息显示，美光的DRAM制造基地主要在中国台湾省和日本，其中1α DRAM已经在台湾量产此外，1β DRAM将于今年年底在日本量产，之后转移到台湾省生产

本站了解到，内存厂商的上一代DRAM芯片分为1X，1Y，1Z工艺，1Xnm工艺相当于16—19nm级别，1Ynm工艺相当于14—16nm级别，1Znm工艺相当于12—14nm级别据业内消息，最新的1α，1β和1γ可能分别相当于14—12nm，12—10nm和10nm

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